高密度v型石墨舟皿的特點(diǎn)是什么
高密度V型石墨舟皿以精密定位、防滲碳保護(hù)、模塊化適配及高效熱處理為中心特征,通過材料、結(jié)構(gòu)與工藝的協(xié)同優(yōu)化,成為硬質(zhì)合金、半導(dǎo)體等高溫精密加工場景中的要害配備。以下是其中心特征剖析:
一、精密定位與異形件適配:V型槽的幾許優(yōu)勢
軸心精度保證
V型槽的斜面規(guī)劃通過幾許限位完畢硬質(zhì)合金段差圓棒/管的軸心精準(zhǔn)定位,軸心誤差≤0.01mm。例如,在切削刀具制作中,這種精密定位可避免刀具旋轉(zhuǎn)時(shí)的跳動,行進(jìn)加工精度至微米級。
異形件靈敏承載
模塊化石墨片:通過替換不同規(guī)范的石墨片,舟皿可適配最小截面5mm×5mm的異形硬質(zhì)合金件,無需替換舟皿本體,下降加工本錢40%。
雙向螺紋桿調(diào)度:改進(jìn)型規(guī)劃容許通過螺紋桿調(diào)整槽體間隔,進(jìn)一步擴(kuò)展異形件固定規(guī)劃,滿意凌亂幾許形狀產(chǎn)品的燒結(jié)需求。
邊角保護(hù)機(jī)制
棱角保護(hù)槽:底部支撐凸起與V型槽交界處設(shè)置棱角保護(hù)槽,將產(chǎn)品與銳邊接觸轉(zhuǎn)為平面接觸,邊角破損率從傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的5.2%降至0.8%。
圓弧過渡規(guī)劃:Λ形通槽的頂部過渡處選用圓弧小平面,避免疊放時(shí)應(yīng)力會合,舟皿破損率下降40%,運(yùn)用壽數(shù)延伸30%以上。
二、防滲碳與化學(xué)保護(hù):涂料層與材料純度
氮化硼涂料層
V型槽和石墨片表面涂覆厚度不小于0.18mm的氮化硼涂料層,可有用阻斷碳浸透。在硬質(zhì)合金燒結(jié)中,防滲碳規(guī)劃避免產(chǎn)品表面硬度下降(滲碳層硬度下降約15%-20%),保證材料功用安穩(wěn)。
高純度石墨基材
純度規(guī)范:選用固定碳含量≥99.99%的等靜壓石墨,灰分含量≤0.02%,避免Fe、Si等雜質(zhì)污染合金,滿意半導(dǎo)體級潔凈度要求。
細(xì)晶結(jié)構(gòu):顆粒度操控在6-8μm,細(xì)晶結(jié)構(gòu)行進(jìn)力學(xué)功用,一同下降高溫下的蠕變風(fēng)險(xiǎn)。
三、模塊化與空間優(yōu)化:疊放規(guī)劃與裝載功率
Λ形通槽疊放結(jié)構(gòu)
空間互補(bǔ)效應(yīng):底面Λ形通槽與槽體結(jié)構(gòu)構(gòu)成空間互補(bǔ),疊放時(shí)上層舟皿的支撐凸起落入底層通槽內(nèi),削減垂直方向空間占用,裝載量行進(jìn)25%以上。
石墨材料節(jié)約:通過優(yōu)化疊放空地,石墨材料消耗量下降15%-20%,單爐次本錢明顯下降。
組合式模塊化規(guī)劃
螺紋桿聯(lián)接:部分改進(jìn)型規(guī)劃選用螺紋桿聯(lián)接多個(gè)獨(dú)立石墨舟皿單元,協(xié)作限位設(shè)備行進(jìn)疊放氣密性,習(xí)氣不同爐型規(guī)范。
可拆卸嵌合結(jié)構(gòu):保護(hù)條與支撐條選用可拆卸規(guī)劃,構(gòu)成氣氛對流通道,避免氫氣直接沖刷產(chǎn)品表面,削減氧化風(fēng)險(xiǎn)。
四、熱傳導(dǎo)與氣體操控:工藝適配性
W型雙向斜槽的熱對稱性
W型結(jié)構(gòu)使產(chǎn)品受熱更加均勻,溫差不堅(jiān)決≤3℃。在硬質(zhì)合金長條薄片燒結(jié)中,這種規(guī)劃可消除部分過熱導(dǎo)致的晶粒反常長大,行進(jìn)材料耐性。
排氣通槽的氣體引導(dǎo)
脫膠氣體均勻懈?。翰勖嬖O(shè)置的排氣通槽引導(dǎo)脫膠氣體沿預(yù)訂途徑逸出,避免部分氣壓過高導(dǎo)致的膠體殘留。例如,在氫氣脫膠工藝中,排氣通槽可使膠體殘留率從15%降至2%以下。
氣體流通途徑優(yōu)化:通槽規(guī)劃縮短氣體停留時(shí)間,削減燒焦風(fēng)險(xiǎn),特別適用于氫氣等恢復(fù)性氣氛下的燒結(jié)工藝。
五、材料功用與工藝規(guī)范
等靜壓成型工藝
選用冷等靜壓成型技能,在200MPa高壓下對石墨粉進(jìn)行三維均勻捆綁,消除內(nèi)部應(yīng)力,保證石墨坯體結(jié)構(gòu)均勻、細(xì)密。該工藝使石墨在各個(gè)方向功用數(shù)值完全相同,行進(jìn)舟皿的抗熱震功用(100次循環(huán)無開裂)。
表面處理與涂層技能
抗氧化涂層:涂覆SiC/Si?N?復(fù)合涂層后,氧化失重率可下降90%左右,舟皿運(yùn)用壽數(shù)從50次增至150次。
精密加工:運(yùn)用金剛石涂層刀具進(jìn)行多軸聯(lián)動加工,槽位間隔誤差≤±0.005mm,滿意半導(dǎo)體晶圓傳輸?shù)母呔纫蟆?br>六、運(yùn)用場景與作業(yè)價(jià)值
硬質(zhì)合金燒結(jié)
適用于氫氣脫膠、真空燒結(jié)及中頻爐碳化鎢制備工藝,可承載厚度0.5-3mm的硬質(zhì)合金長條薄片產(chǎn)品,最大單件長度可達(dá)1200mm。
半導(dǎo)體與光伏范疇
晶圓傳輸:在12英寸晶圓ALD設(shè)備中,滿意NAS 1638 Class 3級潔凈度規(guī)范(每立方米>0.5μm顆粒<1000個(gè)),定位精度≤±0.005mm。
太陽能電池片鍍膜:在PERC電池片PECVD工藝中,表面溫差<±2℃,碎片率從0.5%降至0.02%,單線日產(chǎn)能打破7000片。
第三代半導(dǎo)體制作
在SiC外延成長爐中,接受1600℃/H?氛圍下的接連作業(yè),HCl氣體腐蝕速率<0.1mg/cm2·h,熱場安穩(wěn)性保證外延層厚度不堅(jiān)決<±1.5%。
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